半導體CD（Critical Dimension）和OVL（Overlay）測量設備是芯片制造過程中不可或缺的工具。CD測量設備用于精確測量半導體晶圓上微小特征的尺寸，確保它們符合設計規格。這對于維持芯片性能和良率至關重要。OVL測量設備則用于評估不同制造步驟中圖案層之間的對準精度，保證各層圖案能夠精確重合，從而避免電路功能失效。通過高精度的測量，半導體CD和OVL設備幫助工程師及時發現和解決生產中的問題，確保最終產品的質量和性能。
維普Vortex系列機臺，采用UV光學成像及反射、透射照明光源。搭配高精度的邊緣探測算法，可實現亞像素級測量精度。同時兼容Mask及晶圓的CD量測。
Vortex 2000
Vortex 2000是維普推出針對晶圓半自動光學關鍵尺寸及套刻測量設備，基于高分辨率的光學成像系統，支持透射、反射兩種照明模式，可兼容Mask/Wafer的關鍵尺寸量測。搭配高性能的運動臺，提高測量過程中定位效率，減少穩態抖動，以滿足測量重復性的苛刻要求。
應用場景
針對4、6、8、12寸晶圓、光罩Mask關鍵尺寸及套刻精度測量。
關鍵特性
- 可同時兼容最大12寸晶圓及Mask的CD量測
- 支持UV、白光照明及光學系統
- 支持透射光（用于Mask）、反射光量測
- 光學系統基于Recipe的自動測量
- 支持灰度閾值、灰度變化率、直線擬合等多種線寬測量方法
- 多持非線性補償功能
- 支持低對比度下的線寬測量
- 支持通過GDS文件進行快速定位的測量
- 提供搖桿、專用控制鍵盤進行平臺定位以及常用功能的快捷操作
